知乎盐选 | 3.1 SiC 半导体材料的基本性质
SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方 15R。 这些多型结构以 Si-C 双原子为结构的基本单元，采 …
碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 ... - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以后SiC，特别是高 …
为什么不用sic做igbt? - 知乎
SiC SBD上采用金属块直接压力接触方法的初步尝试。 使用专门设计的1.6kV SiC-SIJFET。 这种方法在SiC MOSFET上是否可行需要进一步研究另一个问题是，为了充分利用SiC MOSFET的快速开关特 …
SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
SiC MOSFET，氧化层（SiO₂）在阻断模式下的稳定性较差，因为SiO₂需要承受更高的电场强度，从而引发局部击穿或缺陷。 也就是说， 在Si功率器件中，随着电场强度的提升，最先击穿的，一般是Si材 …
知乎盐选 | 3.2 SiC 半导体材料的制备技术
3.2 SiC 半导体材料的制备技术 3.2 SiC 半导体材料的制备技术 目前商用 SiC 单晶基本上都采用升华法生长，其主要原因是使用这种生长方法，单晶生长具有合适的生长速率，这对单晶的规模化生产非常重 …
半导体碳化硅 (SIC)MOSFET 特性的详解；
Apr 28, 2024 · 在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定 …
功率sic mosfet测试BV后三通，击穿点位于终端主结边缘，可能是什么 …
功率sic mosfet测试BV后三通，击穿点位于终端主结边缘，可能是什么原因？ sic 平面型mosfet器件加电压偏置测试漏电时漏电为nA级，htrb前后参数差异很小，参数无任何异常， 但加电流偏置200uA测 …
知乎盐选 | 7.1 SiC 半导体
7.1 SiC 半导体 SiC 是最早被发现的半导体之一，由于它的带隙宽、电子迁移率高及电子饱和速度高、热导率高及机械强度大、抗辐射等方面的优良性能，使得它在高电压、高温和高功率应用方面有很大的 …
碳化硅fab的pie前景咋样，从12寸fab转到碳化硅fab选择咋样? - 知乎
Nov 19, 2024 · 还行吧，fab PIE负责量产，既然是量产无所谓工艺或者制程先进程度，工资不少就行。 SIC 目前处于发展阶段，6寸到8寸过渡。 预计28年行业爆发。 。 行业前景不比 12寸fab 差
SiC MOSFET导通电阻和什么有关，我看到相同电压电流等级 …
SiC材料的临界击穿场强，大概是Si的10倍， 这意味着，为实现相同耐压，SiC MOSFET所需的 外延层可以更薄，掺杂浓度可以更高， 换言之，实现远低于Si MOSFET的漂移区电阻。 由此， 相比Si …